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      技術文章 / article  您的位置：網站首頁 > 技術文章 > 金屬薄膜方塊電阻測試儀KDB-2B   儀器特點 
    
      
    
            
    
                
    金屬薄膜方塊電阻測試儀KDB-2B   儀器特點
    
                
    
                  發布時間： 2016-04-08　　點擊次數： 815次  
                
    
                
    
                 
     
    KDB-2B為四探針法測量金屬薄膜的方塊電阻，該方法操作簡單，測量。
    儀器特點如下：
    1、配有雙數字表：一塊數字表在測量顯示硅片電阻率的同時，另一塊數字表（以萬分之幾的精度）適時監測全過程中的電流變化，使操作更簡便，測量更。
    數字電壓表量程：0—19.999mV 靈敏度：1μV 輸入阻抗：1000ΜΩ
    基本誤差±(0.04-0.05%讀數+0.01%滿度) ；
    2、方塊電阻測量范圍：1×10-5～1.9Ω/□；
    3、電流量程分兩檔：100mA和1000mA。
    
                
    
                
            
    
        
    
    
    
  
    

    

    



    
  
    
    
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